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ag2se是一种窄带隙n型半导体，具有较高的载流子迁移率和较低的晶格热导率。在室温附近具有较高的热电性能。然而，各文献报道的该材料热电性能差异非常大，这极大地阻碍了对该材料的科学理解和潜在应用。本文综合研究了熔融、熔融加放电等离子烧结、机械合金化加放电等离子烧结等三种典型工艺制备的块状ag2se的均匀性、工艺可重复性和热稳定性。利用三维原子探针技术，我们发现了以前未发现的纳米级富银或富硒析出物和具有硒聚集界面的微孔。尽管有大量的纳米沉淀物，但熔融加放电等离子烧结制备的样品在热电性能上表现出了最佳的均匀性和重复性。此外，在ag2se中添加少量过量的硒，可大大提高其热电性能。在300-380k范围内，平均zt值可高达0.8-0.9，是ag2se基材料的最高值之一。这项工作使得ag2se热电性能的评价方式更合理化。