研究团队从毛细现象中获得灵感，提出了制备二维mof薄膜的限域生长策略。该方法利用毛细力将制备二维mof薄膜的铜离子和5,10,15,20-四(4-羧基苯基)卟啉(tcpp)交替引入到由两片绝缘衬底组成的狭缝内，在限定的区域内发生配位反应，从而在石英、蓝宝石、硅片等绝缘衬底表面上直接生长出大面积的二维cu2(tcpp) mof薄膜。该方法不需要衬底转移，与目前的硅加工工艺相兼容。通过xrd、hrafm和cryo-tem等仪器测试表明，该方法制备的mof薄膜具有高的晶体质量, 其薄膜电导率为0.007 s cm-1，相比其它羧酸基mof材料（10–6 s cm–1）提高了3个数量级。同时，该策略也适用于制备cu3(hhtp)2, co3(hhtp)2 和 ni3(hhtp)2 等二维mof材料，具有普适性。该成果发表在 advanced materials期刊上 (adv. mater. 2021, 33, 2007741)，并被选为前封面。论文第一作者为博士生刘友星，通讯作者为陈建毅研究员和刘云圻院士。
