本文讲述：对于金属/金属氧化物界面强度的研究，研究发现在金属氧化物中掺杂低价态原子后，引入了空穴（h ），这些空穴吸引金属球中的电子（e-），从而提高界面结合的强度。文章链接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/cp/c8cp00744f#!divabstract（背封升级正封）
本文讲述：对于金属/金属氧化物界面强度的研究，研究发现在金属氧化物中掺杂低价态原子后，引入了空穴（h ），这些空穴吸引金属球中的电子（e-），从而提高界面结合的强度。（背封升级正封）
