为中山大学电子与信息工程学院/光电材料与技术国家重点实验室蔡鑫伦教授、余思远教授课题组与华南师范大学华南先进光电子研究院刘柳教授课题组设计的nature photonics论文配图。
本研究团队通过在硅基芯片上混合集成具有优越线性电光效应的铌酸锂薄膜材料，充分发挥硅和铌酸锂这两种重要光子学材料各自的优势，实现了创新的“硅与铌酸锂混合集成电光调制器”。该器件实现了远超传统纯硅电光调制器的调制带宽(>70 ghz，达到现有测试系统极限）、创纪录的低插入损耗(<2.5 db)、高于传统铌酸锂调制器4倍以上的调制效率(2.2 v∙cm)，并具有高线性度、高集成度以及低成本等优异特性，其加工方法与标准cmos工艺可后端兼容。器件进一步演示了112 gbps超高数据调制速率以及170 fj/bit的低功耗，其各项指标达到、超过了当今世界一流水平，表现出优越的综合性能。nature photonics杂志审稿人高度评价“该论文的工作是硅基光子学领域的一个巨大进步，对未来光通信，量子计算以及仿神经光子集成的研究将产生重要影响”。
该项工作得到国家自然科学基金重大项目课题、优秀青年基金项目、广东省创新团队项目以及光电材料与技术国家重点实验室的大力支持。
文章链接：http://seit.sysu.edu.cn/node/1348
为中山大学电子与信息工程学院/光电材料与技术国家重点实验室蔡鑫伦教授、余思远教授课题组与华南师范大学华南先进光电子研究院刘柳教授课题组设计的nature photonics论文配图。
本研究团队通过在硅基芯片上混合集成具有优越线性电光效应的铌酸锂薄膜材料，充分发挥硅和铌酸锂这两种重要光子学材料各自的优势，实现了创新的“硅与铌酸锂混合集成电光调制器”。该器件实现了远超传统纯硅电光调制器的调制带宽(>70 ghz，达到现有测试系统极限）、创纪录的低插入损耗(<2.5 db)、高于传统铌酸锂调制器4倍以上的调制效率(2.2 v∙cm)，并具有高线性度、高集成度以及低成本等优异特性，其加工方法与标准cmos工艺可后端兼容。器件进一步演示了112 gbps超高数据调制速率以及170 fj/bit的低功耗，其各项指标达到、超过了当今世界一流水平，表现出优越的综合性能。nature photonics杂志审稿人高度评价“该论文的工作是硅基光子学领域的一个巨大进步，对未来光通信，量子计算以及仿神经光子集成的研究将产生重要影响”。
该项工作得到国家自然科学基金重大项目课题、优秀青年基金项目、广东省创新团队项目以及光电材料与技术国家重点实验室的大力支持。
